IPB144N12N3GATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1000+ | 1.75 EUR |
| 2000+ | 1.66 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPB144N12N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPB144N12N3GATMA1 nach Preis ab 1.62 EUR bis 3.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB144N12N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V |
auf Bestellung 5149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB144N12N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 120V 56A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 4138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB144N12N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 566 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IPB144N12N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 566 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
IPB144N12N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
IPB144N12N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO263-3 Case: PG-TO263-3 Polarisation: unipolar On-state resistance: 14.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 107W Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Drain-source voltage: 120V Drain current: 56A Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IPB144N12N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO263-3 Case: PG-TO263-3 Polarisation: unipolar On-state resistance: 14.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 107W Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Drain-source voltage: 120V Drain current: 56A |
Produkt ist nicht verfügbar |