IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPB108N15N3GATMA1 nach Preis ab 2.59 EUR bis 8.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPB108N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB108N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB108N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB108N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB108N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 83A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V |
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IPB108N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB108N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB108N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 83A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V |
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IPB108N15N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPB108N15N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPB108N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB108N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB108N15N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO263-3 Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-TO263-3 Mounting: SMD On-state resistance: 10.8mΩ Power dissipation: 214W Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPB108N15N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO263-3 Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-TO263-3 Mounting: SMD On-state resistance: 10.8mΩ Power dissipation: 214W Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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