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Technische Details IPAN70R900P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN70R900P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 17.9W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPAN70R900P7SXKSA1 nach Preis ab 2.91 EUR bis 2.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||
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IPAN70R900P7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPAN70R900P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17.9W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPAN70R900P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPAN70R900P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPAN70R900P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 9Ohm; 600mA; 17W; -50°C ~ 150°C; Substitute: IPAN70R900P7SXKSA1; IPAN70R900P7S TIPAN70r900p7s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPAN70R900P7SXKSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPAN70R900P7SXKSA1 - CONSUMER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 17000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPAN70R900P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPAN70R900P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 17.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V |
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