IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
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auf Bestellung 244 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 57+ | 1.26 EUR |
| 74+ | 0.98 EUR |
| 83+ | 0.87 EUR |
| 96+ | 0.75 EUR |
| 102+ | 0.7 EUR |
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Technische Details IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20.8W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPAN70R750P7SXKSA1 nach Preis ab 0.7 EUR bis 2.2 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IPAN70R750P7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ P7 Drain-source voltage: 700V Drain current: 4A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 20.8W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 8.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V |
auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPAN70R750P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V |
auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPAN70R750P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPAN70R750P7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20.8W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPAN70R750P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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