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Technische Details IPAN60R280PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R280PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPAN60R280PFD7SXKSA1 nach Preis ab 1.03 EUR bis 3.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPAN60R280PFD7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: CONSUMER PG-TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V |
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IPAN60R280PFD7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R280PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPAN60R280PFD7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 7A; Idm: 31A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 24W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 549mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IPAN60R280PFD7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
JAM NUT RECEPTACLE |
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| IPAN60R280PFD7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
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IPAN60R280PFD7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 7A; Idm: 31A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 24W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 549mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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