IPAN60R210PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPAN60R210PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote IPAN60R210PFD7SXKSA1 nach Preis ab 1.35 EUR bis 4.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IPAN60R210PFD7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs Y |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPAN60R210PFD7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V |
auf Bestellung 781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPAN60R210PFD7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R210PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 16 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 25 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPAN60R210PFD7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPAN60R210PFD7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPAN60R210PFD7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 10A; Idm: 42A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 386mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IPAN60R210PFD7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP003235776 |
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IPAN60R210PFD7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 10A; Idm: 42A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 386mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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