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Technische Details IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R125PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 32, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32, Bauform - Transistor: TO-220FP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPAN60R125PFD7SXKSA1 nach Preis ab 1.77 EUR bis 5.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V |
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R125PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 32 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 32 Bauform - Transistor: TO-220FP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A Tube |
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 16A; Idm: 66A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 16A; Idm: 66A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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