IPA95R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA95R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA95R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPA95R1K2P7XKSA1 nach Preis ab 1.13 EUR bis 2.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPA95R1K2P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA95R1K2P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
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IPA95R1K2P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA95R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPA95R1K2P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA95R1K2P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA95R1K2P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 27W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 3.7A Power dissipation: 27W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPA95R1K2P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V |
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IPA95R1K2P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 27W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 3.7A Power dissipation: 27W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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