IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPA80R1K4P7XKSA1 nach Preis ab 0.87 EUR bis 2.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IPA80R1K4P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFET LOW POWER_NEW |
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IPA80R1K4P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V |
auf Bestellung 607 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA80R1K4P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA80R1K4P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPA80R1K4P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA80R1K4P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA80R1K4P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 8.9A; 24W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 8.9A Power dissipation: 24W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPA80R1K4P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 8.9A; 24W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 8.9A Power dissipation: 24W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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