IPA65R225C7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA65R225C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPA65R225C7XKSA1 nach Preis ab 1.81 EUR bis 5.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPA65R225C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS |
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IPA65R225C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V |
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IPA65R225C7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R225C7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA65R225C7XKSA1 THT N channel transistors |
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| IPA65R225C7XKSA1 | Hersteller : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA65R225C7XKSA1 TIPA65r225c7 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
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IPA65R225C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA65R225C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA65R225C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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