IPA65R150CFDXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA65R150CFDXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 34.7W; TO220FP, Mounting: THT, Case: TO220FP, Kind of package: tube, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 22.4A, On-state resistance: 0.15Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 34.7W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IPA65R150CFDXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 34.7W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 22.4A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 34.7W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPA65R150CFDXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 |
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IPA65R150CFDXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO220FP-3 |
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IPA65R150CFDXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 34.7W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 22.4A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 34.7W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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