IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPA60R199CPXKSA1 nach Preis ab 3.8 EUR bis 8.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IPA60R199CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA60R199CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V |
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IPA60R199CPXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPA60R199CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA60R199CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA60R199CPXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPA60R199CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
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IPA60R199CPXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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