![IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7XKSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/4bd396939a814c3c326c5e42c362efecdc1abb27/600v_p7_to-220-fullpak.jpg)
IPA60R180P7XKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
106+ | 1.45 EUR |
109+ | 1.36 EUR |
113+ | 1.26 EUR |
250+ | 1.21 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPA60R180P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPA60R180P7XKSA1 nach Preis ab 1.07 EUR bis 3.75 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA60R180P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R180P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 1560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R180P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 3970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R180P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 3970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R180P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V |
auf Bestellung 797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R180P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 858 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R180P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA60R180P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA60R180P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA60R180P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
Produkt ist nicht verfügbar |