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IPA60R125CPXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA60R125CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote IPA60R125CPXKSA1 nach Preis ab 5.74 EUR bis 5.74 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPA60R125CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPA60R125CPXKSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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IPA60R125CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPA60R125CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPA60R125CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPA60R125CPXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPA60R125CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V |
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IPA60R125CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPA60R125CPXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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