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IPA60R099P6XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA60R099P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V.
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IPA60R099P6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPA60R099P6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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