IPA320N20NM3SXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 89µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 89µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
auf Bestellung 2258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 4.47 EUR |
10+ | 3.71 EUR |
100+ | 2.95 EUR |
500+ | 2.5 EUR |
1000+ | 2.12 EUR |
2000+ | 2.01 EUR |
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Technische Details IPA320N20NM3SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA320N20NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 26 A, 0.0272 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0272ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPA320N20NM3SXKSA1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IPA320N20NM3SXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA320N20NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 26 A, 0.0272 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0272ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA320N20NM3SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Power Transistor MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPA320N20NM3SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 104A; 38W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 104A Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPA320N20NM3SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPA320N20NM3SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 104A; 38W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 104A Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A |
Produkt ist nicht verfügbar |