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IPA083N10N5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA083N10N5XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote IPA083N10N5XKSA1 nach Preis ab 1.59 EUR bis 3.45 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPA083N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPA083N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPA083N10N5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 44A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPA083N10N5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 44A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IPA083N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V |
auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA083N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA083N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA083N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA083N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPA083N10N5XKSA1 Produktcode: 190081 |
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IPA083N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPA083N10N5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 44 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 36 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS 5 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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