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IPA075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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9+ | 8.25 EUR |
11+ | 7.12 EUR |
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Technische Details IPA075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPA075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPA075N15N3GXKSA1 nach Preis ab 4.93 EUR bis 11.74 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPA075N15N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA075N15N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 75 V |
auf Bestellung 576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA075N15N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA075N15N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA075N15N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA075N15N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPA075N15N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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