IPA029N06NXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA029N06NXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0026 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPA029N06NXKSA1 nach Preis ab 2.22 EUR bis 6.48 EUR
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IPA029N06NXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA029N06NXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MV POWER MOS |
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IPA029N06NXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 84A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V |
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IPA029N06NXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0026 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPA029N06NXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA029N06NXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA029N06NXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA029N06NXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 38W; TO220FP Mounting: THT Drain current: 84A On-state resistance: 2.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPA029N06NXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 38W; TO220FP Mounting: THT Drain current: 84A On-state resistance: 2.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V |
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