IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2+ | 15.56 EUR |
| 30+ | 9.81 EUR |
| 120+ | 8.86 EUR |
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Technische Details IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IMZA65R048M1HXKSA1 nach Preis ab 9.38 EUR bis 20.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IMZA65R048M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
auf Bestellung 857 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMZA65R048M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZA65R048M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZA65R048M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 356 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZA65R048M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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IMZA65R048M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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IMZA65R048M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| IMZA65R048M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IMZA65R048M1HXKSA1 THT N channel transistors |
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