IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 189W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: 0, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IMZA65R027M1HXKSA1 nach Preis ab 22.38 EUR bis 38.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IMZA65R027M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCHPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V Power Dissipation (Max): 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V |
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IMZA65R027M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package |
auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZA65R027M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZA65R027M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package |
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IMZA65R027M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZA65R027M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZA65R027M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 59A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IMZA65R027M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IMZA65R027M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IMZA65R027M1HXKSA1 THT N channel transistors |
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