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IMDQ75R008M1HXUMA1 Infineon Technologies

Name: IMDQ75R008M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 26325463-4
Price: 42.43 EUR
Availability: InStock

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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs Y

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Technische Details IMDQ75R008M1HXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 173A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pins, Produktpalette: CoolSiC Gen I Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis ohne MwSt
	IMDQ75R008M1HXUMA1	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pins Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 649 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)
	IMDQ75R008M1HXUMA1	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pins Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 649 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)