IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
18+ | 8.81 EUR |
19+ | 7.96 EUR |
25+ | 7.56 EUR |
100+ | 6.49 EUR |
250+ | 6.1 EUR |
500+ | 5.34 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 85W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IMBG65R163M1HXTMA1 nach Preis ab 5.34 EUR bis 11.6 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IMBG65R163M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
auf Bestellung 910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IMBG65R163M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IMBG65R163M1HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 85W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
IMBG65R163M1HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 85W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
IMBG65R163M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
auf Bestellung 962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IMBG65R163M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | SP005539187 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
IMBG65R163M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
IMBG65R163M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |