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IKY50N120CH3XKSA1

IKY50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IKY50N120CH3_DS_v02_03_EN-3361990.pdf Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
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Technische Details IKY50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 100A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 255 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/296ns, Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 235 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 652 W.

Weitere Produktangebote IKY50N120CH3XKSA1 nach Preis ab 10.45 EUR bis 20.33 EUR

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IKY50N120CH3XKSA1 IKY50N120CH3XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKY50N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817779d052e Description: IGBT 1200V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/296ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W
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IKY50N120CH3XKSA1 IKY50N120CH3XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-iky50n120ch3-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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