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Technische Details IKY50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 100A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 255 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/296ns, Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 235 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 652 W.
Weitere Produktangebote IKY50N120CH3XKSA1 nach Preis ab 10.45 EUR bis 20.33 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IKY50N120CH3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 100A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 255 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-4 Td (on/off) @ 25°C: 32ns/296ns Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 652 W |
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IKY50N120CH3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKY50N120CH3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES | IKY50N120CH3XKSA1 THT IGBT transistors |
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