IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns, Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 435 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 333 W, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote IKW75N65ET7XKSA1 nach Preis ab 5.48 EUR bis 11 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IKW75N65ET7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 435 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 333 W Qualification: AEC-Q101 |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package |
auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333000mW Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |