IKW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns, Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V, Gate Charge: 164 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.
Weitere Produktangebote IKW75N65ES5XKSA1 nach Preis ab 4.29 EUR bis 10.96 EUR
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Verfügbarkeit |
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IKW75N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW75N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW75N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY 14 |
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IKW75N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V Gate Charge: 164 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
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IKW75N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW75N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW75N65ES5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.42 DC-Kollektorstrom: 80 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Verlustleistung Pd: 395 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IKW75N65ES5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 197W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 164nC Kind of package: tube Turn-on time: 86ns Turn-off time: 185ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKW75N65ES5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 197W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 164nC Kind of package: tube Turn-on time: 86ns Turn-off time: 185ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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