IKW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns, Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.
Weitere Produktangebote IKW75N65EH5XKSA1 nach Preis ab 5.47 EUR bis 12.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IKW75N65EH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs Y |
auf Bestellung 391 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
auf Bestellung 913 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 14163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 Produktcode: 177738 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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