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Technische Details IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns, Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 274 W.
Weitere Produktangebote IKW50N65SS5XKSA1 nach Preis ab 8.47 EUR bis 16.65 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IKW50N65SS5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 274 W |
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IKW50N65SS5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
auf Bestellung 611 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65SS5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65SS5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 274W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65SS5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | SP001668430 |
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IKW50N65SS5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip |
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IKW50N65SS5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip |
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