IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 70 Stücke:
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Technische Details IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns, Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 305 W.
Weitere Produktangebote IKW50N65RH5XKSA1 nach Preis ab 5.72 EUR bis 12.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IKW50N65RH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
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IKW50N65RH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65RH5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 627 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65RH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP004038142 |
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IKW50N65RH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
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IKW50N65RH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
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