IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 52 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns, Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 305 W.
Weitere Produktangebote IKW50N65F5FKSA1 nach Preis ab 2.46 EUR bis 9.94 EUR
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IKW50N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW50N65F5FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKW50N65F5FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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IKW50N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW50N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
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IKW50N65F5FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 Produktcode: 162192 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IKW50N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKW50N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW50N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 52 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W |
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