IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns, Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 274 W.
Weitere Produktangebote IKW50N65ES5XKSA1 nach Preis ab 4.29 EUR bis 10.55 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IKW50N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW50N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 274 W |
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IKW50N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs Y |
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IKW50N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW50N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65ES5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 274W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65ES5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60.5A Power dissipation: 137W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Turn-off time: 161ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKW50N65ES5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60.5A Power dissipation: 137W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Turn-off time: 161ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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