IKW40N65F5FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW40N65F5FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 74A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns, Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 255 W.
Weitere Produktangebote IKW40N65F5FKSA1 nach Preis ab 2.27 EUR bis 8.94 EUR
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IKW40N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW40N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW40N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
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IKW40N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W |
auf Bestellung 1707 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKW40N65F5FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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IKW40N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW40N65F5FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IKW40N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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