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IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

Name: IKW30N65ES5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 6437510-5
Price: 2.09 EUR
Availability: InStock

infineon-ikw30n65es5-datasheet-v01_10-en.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Technische Details IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns, Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 62 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 188 W.

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IKW30N65ES5XKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW30N65ES5XKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW30N65ES5XKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

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IKW30N65ES5XKSA1

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IGBTs Y

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IKW30N65ES5XKSA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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IKW30N65ES5XKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon-IKW30N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501413b3525763

Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W

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IKW30N65ES5XKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW30N65ES5XKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW30N65ES5XKSA1

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0001299467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IKW30N65ES5XKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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