IKW25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 288 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 9.61 EUR |
| 30+ | 5.85 EUR |
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Technische Details IKW25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 150 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 250 W.
Weitere Produktangebote IKW25N120CS7XKSA1 nach Preis ab 4.71 EUR bis 12.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package |
auf Bestellung 422 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
auf Bestellung 1946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
auf Bestellung 1947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005419560 |
auf Bestellung 1877 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Turn-on time: 38ns Turn-off time: 490ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Turn-on time: 38ns Turn-off time: 490ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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