IKW15T120FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW15T120FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 30A 110W TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns, Switching Energy: 2.7mJ, Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V, Gate Charge: 85 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 110 W.
Weitere Produktangebote IKW15T120FKSA1 nach Preis ab 5.37 EUR bis 6.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IKW15T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 30A 110W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns Switching Energy: 2.7mJ Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 110 W |
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| IKW15T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY 14 |
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