IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies
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| 240+ | 5.08 EUR |
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Technische Details IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 260 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns, Switching Energy: 1.55mJ, Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V, Gate Charge: 75 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 217 W.
Weitere Produktangebote IKW15N120H3FKSA1 nach Preis ab 3.93 EUR bis 11.60 EUR
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IKW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
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IKW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 260 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns Switching Energy: 1.55mJ Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 217 W |
auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon |
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15N120H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Pulsed collector current: 60A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 217W Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 75nC Technology: TRENCHSTOP™ 3 Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKW15N120H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Pulsed collector current: 60A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 217W Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 75nC Technology: TRENCHSTOP™ 3 Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A |
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