IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 340 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns, Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 92 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 200 W.
Weitere Produktangebote IKW15N120BH6XKSA1 nach Preis ab 2.59 EUR bis 7 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IKW15N120BH6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15N120BH6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY 14 |
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IKW15N120BH6XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IKW15N120BH6XKSA1 Produktcode: 174089 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IKW15N120BH6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15N120BH6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15N120BH6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 100W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 92nC Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Collector current: 15A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKW15N120BH6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 340 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 92 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 200 W |
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IKW15N120BH6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 100W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 92nC Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Collector current: 15A |
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