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IKP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 52 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/156ns, Switching Energy: 170µJ (on), 60µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 125 W.
Weitere Produktangebote IKP20N65H5XKSA1 nach Preis ab 2.25 EUR bis 10.21 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IKP20N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IKP20N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IKP20N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IKP20N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IKP20N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 52 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 18ns/156ns Switching Energy: 170µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 125 W |
auf Bestellung 809 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP20N65H5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKP20N65H5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKP20N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKP20N65H5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A |
auf Bestellung 4163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKP20N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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