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IKFW60N60EH3XKSA1

IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IKFW60N60EH3_DS_v02_01_EN-1731672.pdf Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
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Technische Details IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 50A, Power dissipation: 164W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Mounting: THT, Gate charge: 290nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 64ns, Turn-off time: 253ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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IKFW60N60EH3XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
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IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 1755300373416360infineon-ikfw60n60eh3-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46262b31d2e01630.pdf High speed switching series third generation IGBT
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Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IKFW60N60EH3XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
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