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IHW50N65R6XKSA1

IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IHW50N65R6_DataSheet_v01_20_EN-2583084.pdf Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
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Technische Details IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 100A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 108 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns, Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 199 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 251 W.

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IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e1c8ed727b Description: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
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