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Technische Details IHW30N65R5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/220ns, Switching Energy: 850µJ (on), 240µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V, Gate Charge: 153 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 176 W.
Weitere Produktangebote IHW30N65R5XKSA1 nach Preis ab 2.92 EUR bis 6.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IHW30N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 29ns/220ns Switching Energy: 850µJ (on), 240µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V Gate Charge: 153 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 176 W |
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IHW30N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IHW30N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IHW30N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IHW30N65R5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IHW30N65R5 THT IGBT transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |