IHW30N160R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 13+ | 5.78 EUR |
| 17+ | 4.2 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IHW30N160R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: Resonant Switching Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IHW30N160R5XKSA1 nach Preis ab 3.01 EUR bis 17.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 39A Power dissipation: 131.5W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Turn-off time: 411ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode |
auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode |
auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs HOME APPLIANCES 14 |
auf Bestellung 4018 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode |
auf Bestellung 4103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/290ns Switching Energy: -, 350µJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 205 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 263 W |
auf Bestellung 7782 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Resonant Switching Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 7063 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
| IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : Infineon |
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5 TIHW30n160r5 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
|
IHW30N160R5XKSA1 Produktcode: 180199 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||||
|
|
IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |