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IGT60R190D1ATMA1

IGT60R190D1ATMA1 INFINEON


3971028.pdf Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGT60R190D1ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ColGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1965 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details IGT60R190D1ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGT60R190D1ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 3.2nC, Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ColGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Preis ohne MwSt
IGT60R190D1ATMA1 IGT60R190D1ATMA1 Hersteller : INFINEON 3971028.pdf Description: INFINEON - IGT60R190D1ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ColGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1965 Stücke:
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IGT60R190D1ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-igt60r190d1-datasheet-v02_00-en.pdf Trans JFET N-CH 600V 12A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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