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IGT60R042D1ATMA1

IGT60R042D1ATMA1 Infineon Technologies


infineon-igt60r042d1-datasheet-v02_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
GaN HEMT Gallium Nitride Transistor Gate Driver
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Technische Details IGT60R042D1ATMA1 Infineon Technologies

Description: GAN HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IGT60R042D1ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Description: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
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IGT60R042D1ATMA1 IGT60R042D1ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IGT60R042D1_DataSheet_v02_00_EN-3361656.pdf MOSFETs N
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