IGP40N65F5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IGP40N65F5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 74A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns, Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 255 W.
Weitere Produktangebote IGP40N65F5XKSA1 nach Preis ab 2.32 EUR bis 5.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IGP40N65F5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 IGBTs IGBT PRODUCTS |
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IGP40N65F5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 74A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO220-3 Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGP40N65F5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IGP40N65F5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IGP40N65F5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IGP40N65F5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGP40N65F5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 255 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IGP40N65F5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 125W; TO220-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 45A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IGP40N65F5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 125W; TO220-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 45A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 |
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