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IGP30N65F5XKSA1

IGP30N65F5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-igp30n65f5-ds-v02_02-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IGP30N65F5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns, Switching Energy: 280µJ (on), 70µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W.

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IGP30N65F5XKSA1 IGP30N65F5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-igp30n65f5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns
Switching Energy: 280µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
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