IGP20N60H3XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IGP20N60H3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGP20N60H3XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IGP20N60H3XKSA1 nach Preis ab 1.35 EUR bis 3.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IGP20N60H3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGP20N60H3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
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IGP20N60H3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IGP20N60H3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W |
auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGP20N60H3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGP20N60H3XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 612 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGP20N60H3XKSA1 | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IGP20N60H3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IGP20N60H3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IGP20N60H3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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