auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 18.62 EUR |
10+ | 16.67 EUR |
25+ | 16.65 EUR |
100+ | 15.1 EUR |
800+ | 12.74 EUR |
2400+ | 12.72 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IGO60R070D1AUMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 5.8nC, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: CoolGaN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IGO60R070D1AUMA2 nach Preis ab 11.96 EUR bis 22.42 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IGO60R070D1AUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-85 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V |
auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||
IGO60R070D1AUMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1584 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||
IGO60R070D1AUMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1584 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||
IGO60R070D1AUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies | SP005557222 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
IGO60R070D1AUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-85 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |