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IGO60R042D1AUMA2 Infineon Technologies


infineon-igo60r042d1-datasheet-v02_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans JFET N-CH 600V 19A GaN T/R
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Technische Details IGO60R042D1AUMA2 Infineon Technologies

Description: GAN HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Supplier Device Package: PG-DSO-20-85, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V.

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Preis ohne MwSt
IGO60R042D1AUMA2 IGO60R042D1AUMA2 Hersteller : Infineon Technologies Description: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
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IGO60R042D1AUMA2 IGO60R042D1AUMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IGO60R042D1_DataSheet_v02_01_EN-3361981.pdf MOSFETs N
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