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IDWD40E120D7XKSA1

IDWD40E120D7XKSA1 Infineon Technologies


IDWD40E120D7_Rev1.00_12-15-23.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 1200V 67A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 155 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
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Technische Details IDWD40E120D7XKSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE GEN PURP 1200V 67A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io), Reverse Recovery Time (trr): 155 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 67A, Supplier Device Package: PG-TO247-2-2, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V.

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IDWD40E120D7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IDWD40E120D7_DataSheet_v01_00_EN-3422557.pdf Small Signal Switching Diodes INDUSTRY 14
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